A memória HBM3E da Samsung falha nos testes da Nvidia – está muito quente e consome muita energia

Após a conferência GTC 2024 de março, uma fotografia do estande da Samsung Electronics com uma resolução de aprovação do chefe da Nvidia ao lado de amostras de memória HBM3E de 12 camadas começou a aparecer com frequência na Internet. Muitos acreditaram que isto aproxima a memória desta marca do uso massivo nos aceleradores Nvidia, mas fontes da Reuters asseguram que este produto da empresa coreana ainda não satisfaz o potencial cliente em termos das suas características.

Fonte da imagem: Samsung Electronics

Pelo menos a fase de abril dos testes de certificação fornecidos pelas amostras Samsung de memória HBM3E de 8 e 12 camadas, bem como o HBM3 mais maduro, ainda falhou, pois demonstraram um nível mais alto de consumo de energia e dissipação de calor do que a Nvidia precisava. A Samsung vem tentando passar nesses testes desde o ano passado, mas até agora não obteve sucesso. Enquanto isso, a Samsung deve começar a enviar chips HBM3E de 12 camadas aos clientes até o final do próximo mês, potencialmente à frente do líder do segmento SK hynix. Ao mesmo tempo, a Micron Technology já anunciou que seus chips HBM3E serão fornecidos à Nvidia este ano. Na verdade, sendo o maior fabricante da maioria dos tipos de memória do mundo, a Samsung ainda não consegue se tornar fornecedora de HBM3 e HBM3E para as necessidades da Nvidia.

É possível que a recente mudança de liderança na divisão Samsung Electronics, responsável pela produção de produtos semicondutores, seja justamente consequência dos problemas da empresa sul-coreana em atender às necessidades da Nvidia. Ao mesmo tempo, a Samsung iniciou as entregas comerciais da primeira geração do HBM em 2015, e não pode ser considerada uma novata neste segmento de mercado. A pioneira, porém, continua sendo a SK Hynix, que concluiu o desenvolvimento da HBM em 2013.

Como acrescenta o Financial Times, citando o chefe de controle de qualidade da SK Hynix, Kwon Jae-soon, este fabricante agora considera uma prioridade aumentar os volumes de produção de memória HBM3E de 8 camadas, que é a mais popular entre os clientes. A empresa conseguiu aumentar o nível de rendimento dos produtos no segmento HBM3E para sólidos 80% e reduzir o tempo do ciclo de produção em 50%. É a luta contra os defeitos que proporciona aos negócios da empresa nesta área os recursos financeiros necessários e cria a base para um maior desenvolvimento de sucesso. A empresa está desenvolvendo o HBM4 em colaboração com a TSMC e espera lançá-lo em 2025, um ano antes da Samsung. Deste ponto de vista, a disponibilidade deste último para providenciar fornecimentos de pilhas HBM3E de 12 níveis até ao final dos seis meses não preocupa particularmente a SK Hynix.