Esta semana, a empresa japonesa Kioxia anunciou o início do envio de amostras de engenharia de memória TLC de 1 Tbit, fabricada em um design de 332 camadas usando a tecnologia Flash BiCS de 10ª geração. Essa memória promete oferecer maior densidade de armazenamento e desempenho, e será usada principalmente em unidades de armazenamento para servidores.
Fonte da imagem: Kioxia
Assim como os chips de oitava geração, a nova memória utiliza as tecnologias CBA e OPS, oferecendo simultaneamente uma taxa de transferência de 4,8 Gbps, um terço a mais que a memória de oitava geração. A densidade de armazenamento foi aumentada em 59% graças a um layout de 332 camadas. O consumo de energia para operações de leitura foi reduzido em 30% e, para operações de gravação, em 18%. Em um momento em que os operadores de data centers estão cada vez mais focados no consumo de energia, essa é uma conquista significativa.
A Kioxia iniciará a produção de sua memória avançada de 332 camadas em sua nova fábrica na província de Iwate, que entrou em operação em setembro do ano passado. A notícia do lançamento da amostra da memória de nova geração contribuiu para a alta de 8,9% nas ações da empresa nas negociações da manhã em Tóquio. Diferentemente da Samsung e da SK hynix, que podem diversificar suas cadeias de suprimentos com DRAM e HBM, a Kioxia produz apenas memória NAND, sendo crucial para ela acompanhar seus maiores concorrentes em termos de tecnologia e monitorar de perto as condições de mercado. No ano passado, a Kioxia detinha aproximadamente 10% do mercado global de servidores NAND, enquanto suas concorrentes sul-coreanas, Samsung e SK hynix, representavam 40% e 30%, respectivamente. Os produtos mais recentes da Kioxia superam os fornecedores de memória sul-coreanos em taxas de transferência de dados, uma vantagem significativa no mercado atual. Este ano, a Kioxia tornou-se brevemente a maior empresa japonesa em valor de mercado.
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