Apesar de sua popularidade, a memória HBM não é ideal, pois continua cara e consome muita energia, além de impactar o aumento da produção da DRAM tradicional. A SoftBank e a Intel pretendem iniciar a produção em massa da nova memória ZAM até 2029.
Fonte da imagem: Intel
Do lado da SoftBank, a subsidiária Saimemory será responsável pelo desenvolvimento da memória Z-Angle (ZAM), que também ficará responsável pelas vendas do produto final, enquanto a Intel compartilhará suas tecnologias de fabricação e encapsulamento. A designação Z-Angle indica a intenção dos desenvolvedores de aumentar a altura (em Z) da memória. Essencialmente, será uma pilha de vários chips, semelhante à HBM, mas utilizará métodos de encapsulamento mais avançados e uma arquitetura mais eficiente.
Teoricamente, isso deve permitir que a pilha de memória ZAM dobre ou triplique a capacidade da HBM, reduzindo pela metade o consumo de energia e mantendo os custos de fabricação no mesmo nível ou reduzindo-os em 40%. De acordo com dados preliminares, a Intel está pronta para oferecer a tecnologia de encapsulamento de memória NGDB para a produção de ZAM, o que melhorará a eficiência energética em comparação com a HBM. Além do chip base, a pilha dos protótipos existentes inclui oito camadas de DRAM. A memória ZAM será mais fácil de fabricar do que a HBM, permitindo uma rápida escalabilidade dos volumes de produção. Os protótipos desses chips serão demonstrados pelos parceiros até o final de março de 2028. A produção em massa do novo tipo de memória deverá começar nos próximos 12 meses. A Fujitsu também participa do projeto pelo lado japonês.