A Intel apresentou a memória HB3DM, uma “matadora” de HBM com largura de banda superior.

A Saimemory, uma startup cofundada pela Intel, SoftBank e Universidade de Tóquio, está desenvolvendo uma alternativa à popular tecnologia de memória de alta largura de banda (HBM), projetada para fornecer maior taxa de transferência para pilhas de memória usadas em poderosos aceleradores de IA.

Fonte da imagem: Intel

A Saimemory planeja apresentar um artigo sobre sua memória HB3DM recém-desenvolvida na VLSI 2026, em junho. Ela é baseada na tecnologia Z-Angle Memory (ZAM). O “Z” no nome se refere ao arranjo vertical (ao longo do eixo Z) dos chips de memória, semelhante à memória HBM tradicional. A Intel planeja usar suas mais recentes tecnologias de empilhamento para montar os módulos.

A primeira geração da HB3DM consistirá em um total de nove camadas, conectadas por meio de tecnologia híbrida para posicionamento vertical dos chips. O núcleo da pilha de memória HB3DM será uma camada lógica, que gerencia a movimentação de dados dentro do chip. Acima dela, haverá oito camadas de memória DRAM para armazenamento de dados. Cada camada conterá aproximadamente 13.700 interconexões através de slots (TSV) para ligação híbrida.

Espera-se que a memória HB3DM forneça uma capacidade de aproximadamente 1,125 GB por camada, correspondendo a 10 GB por pilha. A tecnologia atinge aproximadamente 0,25 TB/s de largura de banda de memória por mm², portanto, para um módulo de 10 GB com uma área de 171 mm², podemos esperar aproximadamente 5,3 TB/s de largura de banda. De acordo com as especificações anunciadas, o HB3DM oferecerá mais que o dobro da largura de banda do HBM4, que fornece aproximadamente 2 TB/s de largura de banda por pilha.

No entanto, o HB3DM tem limitações. Especificamente, ele só pode criar pilhas com capacidade de até 10 GB, enquanto o HBM4 permite pilhas com capacidade de até 48 GB. A Intel pode aumentar o número de camadas à medida que o HB3DM se desenvolve, mas, por enquanto, o desenvolvimento está focado na largura de banda.

Atualmente, não há informações disponíveis.A Saimemory planeja lançar o HB3DM e quem fabricará os chips DRAM base para ele — possivelmente a própria Intel — ainda não foi definido. Mais perto da VLSI 2026, as empresas provavelmente fornecerão mais detalhes sobre o progresso do desenvolvimento.