SK hynix apresentou as primeiras pilhas HBM3E de 16 matrizes do mundo – 48 GB em um módulo

A SK hynix apresentou as primeiras pilhas de memória HBM3E do mundo com capacidade de 48 GB a partir de 16 chips – um novo recorde para a arquitetura 16-Hi. No SK AI Summit 2024 em Seul, o CEO Kwak Noh-Jung anunciou a estratégia da SK hynix para se tornar um fornecedor completo de soluções de memória DRAM e NAND para IA.

“Fonte da imagem: SK hynix”

Kwak No-Jung observou que o papel da memória passou por mudanças significativas nas últimas décadas: desde o armazenamento de dados em computadores pessoais (PCs) e smartphones até o suporte ao funcionamento de serviços em nuvem e redes sociais. No futuro, com o desenvolvimento da IA, a memória desempenhará um papel ainda mais importante, possibilitando novas formas de interação e criatividade aos utilizadores. O conceito de Memória Criativa da SK hynix aproveita semicondutores de próxima geração para fornecer os poderosos recursos de computação necessários para lidar com tarefas complexas.

A SK Hynix busca ativamente a inovação, criando soluções exclusivas que não possuem análogos. Os produtos escolhidos como base são produtos da categoria Beyond Best, altamente competitivos e com ótimas inovações focadas nas necessidades dos sistemas de IA. A empresa planeja lançar amostras de memória HBM3E de 48 GB no início do próximo ano, destacando seu compromisso com avanços pioneiros em memória de IA.

HBM3E com arquitetura 16-Hi oferece até 18% de melhoria de desempenho no treinamento de modelos de IA e até 32% no processamento de dados em comparação com soluções 12-Hi, afirma SK hynix. Com a crescente demanda por aceleradores de IA para processamento de dados, esta solução ajudará a SK hynix a fortalecer sua posição no mercado de memória de IA. Para a produção em massa do HBM3E de 16 camadas, será utilizada a avançada tecnologia Advanced MR-MUF, anteriormente usada com sucesso para soluções 12-Hi.

Além do HBM3E, a SK hynix está desenvolvendo soluções para outros setores, incluindo módulos LPCAMM2 para PCs e data centers, bem como memórias LPDDR5 e LPDDR6 com eficiência energética baseadas na tecnologia de processo 1c.

A empresa também planeja integrar lógica à matriz base da memória HBM4, o que será possível por meio de parceria com um dos principais fabricantes de semicondutores lógicos. Isso permitirá que a SK hynix desenvolva soluções HBM customizadas, adaptadas às necessidades específicas do cliente em termos de volume, rendimento e características funcionais.

A memória HBM3E fornece taxa de transferência de dados de 9,2 Gb/s por pino, resultando em largura de banda superior a 1,2 TB/s

Em resposta às crescentes necessidades de memória dos sistemas de IA, a SK hynix está desenvolvendo soluções baseadas em redes CXL que permitirão a integração de vários tipos de memória em arrays de alta capacidade. Paralelamente, a empresa está desenvolvendo eSSD com capacidade ultra-alta, que permitirá o armazenamento eficiente de grandes quantidades de dados em um espaço limitado e com consumo ideal de energia.

Em um esforço para superar a chamada “barreira de memória”, a SK hynix está desenvolvendo tecnologias com recursos de computação embarcados. Soluções como Processamento próximo à memória (PNM), Processamento em memória (PIM) e Armazenamento computacional permitirão processar enormes quantidades de dados, minimizando a latência e aumentando o rendimento. Estas inovações abrirão novas perspetivas para sistemas de IA da próxima geração, permitindo que tarefas que consomem muitos recursos sejam concluídas com latência mínima.