SK hynix segue a Samsung na introdução de módulos DDR5 CXL

SK Hynix Inc. apresentou suas primeiras amostras de módulos DDR5 no formato EDSFF E3.S. Novos itens são equipados com interface PCIe 5.0 x8 e controladores CXL 2.0. A produção em massa desses módulos começará em 2023. Ao mesmo tempo, a empresa também introduziu um HMSDK de código aberto para desenvolver soluções baseadas na nova memória. Estará disponível no quarto trimestre de 2022.

As primeiras amostras têm uma capacidade bastante modesta (apenas 96 GB), mas são construídas com base em modernos chips de 24 Gb fabricados com a tecnologia de processo 1α. Há mais uma nuance – já que, de acordo com a empresa, ainda não existem plataformas de servidores de massa que suportem o E3.S x8, alguns exemplos foram adaptados para uso em plataformas de hardware existentes.

Imagens: SK Hynix

No entanto, AMD, Dell, Intel e Montage já manifestaram interesse em novos produtos de uma forma ou de outra. A SK hynix, como outros membros do consórcio CXL, observa que uma abordagem heterogênea à arquitetura de memória em servidores abrirá oportunidades para infraestrutura composta, bem como flexibilidade na escolha do nível necessário de desempenho e capacidade de DRAM. No entanto, a flexibilidade total da memória estará disponível apenas em plataformas com suporte CXL 2.0, que os próximos processadores de servidor da AMD e Intel não poderão oferecer.

SK hynix observa que mesmo uma simples combinação de módulos DDIMM e CXL em um único nó aumentará significativamente a largura de banda total da DRAM – de 260-320 GB / s para 360-480 GB / s. A capacidade, porém, segundo os cálculos da SK hynix, passará de 768 GB para 1,15 TB. A Samsung anunciou o lançamento de módulos DDR5 CXL de 512 GB nesta primavera e no ano passado apresentou a plataforma Poseidon V2 com suporte para módulos PCIe 5.0, CXL e E3.S.