Samsung anuncia SSD semântico de memória: DRAM + NAND + CXL

A Samsung anunciou novas soluções para o setor empresarial, que, segundo a empresa, “transformam a movimentação, armazenamento, processamento e gestão de dados na era do Big Data”. No entanto, a empresa não forneceu características detalhadas dos novos produtos, limitando-se a palavras gerais.

O primeiro da lista é o Petabyte Storage. Com isso, a empresa significa a possibilidade de formar um sistema de armazenamento com capacidade de 1 PB baseado em um único nó. A altura e o layout de tal nó não são especificados, mas isso não é tão importante, pois soluções semelhantes, embora inicialmente especializadas, de outros fornecedores foram apresentadas há mais de dois anos. A Samsung também mencionou os recursos de telemetria avançada, que monitora o status de DRAM, NAND, controlador e firmware como parte do SSD e permite identificar possíveis problemas com antecedência.

Imagens: Samsung

O próximo anúncio diz respeito ao chamado. SSD Memory-Semântica, que a empresa diz que combina as vantagens das unidades convencionais e da RAM. Neste pode-se ver uma dica de uma solução SCM adequada como um substituto para o falecido Optane, mas neste caso refere-se diretamente à presença de um cache DRAM, que permite velocidade e latência até 20 vezes melhores em operações de leitura aleatória em comparação para SSDs convencionais.

O novo SSD é otimizado para leituras e gravações de blocos pequenos, o que a Samsung diz ser fundamental para cargas de trabalho de IA e aprendizado de máquina. Além disso, refere-se diretamente ao suporte do CXL. As especificações do CXL 3.0 anunciadas ontem tornam possível utilizar totalmente todos os recursos de um SSD híbrido como parte da fábrica do CXL e do GFAM. Mas a distribuição em massa desse padrão ainda está muito distante.

Por fim, a empresa anunciou a disponibilidade dos drives PM1743 e PM1653, os primeiros SSDs a suportar PCIe 5.0 e SAS-4, respectivamente. Além disso, a empresa fez o recall da segunda geração de seus SmartSSDs com FPGA integrado e módulos DDR5 CXL. No entanto, agora talvez seja mais importante para a Samsung introduzir uma nova geração de NAND para acompanhar Micron, SK Hynix e até YMTC.