Micron apresenta módulos CXL DRAM de 128 GB e 256 GB

A Micron Technology anunciou a disponibilidade dos primeiros lotes de módulos de expansão de memória CXL CZ120 para seus parceiros. Os novos módulos atendem ao padrão CXL 2.0 Tipo 3 e possuem uma arquitetura de canal duplo. Eles são fabricados no formato E3.S 2T (PCI Express 5.0 x8) e estão disponíveis em capacidades de 128 e 256 GB.

A largura de banda declarada dos novos módulos devido à arquitetura proprietária de canal duplo é de 36 GB / s (no entanto, isso pode ser um erro de digitação). Como cenários para o uso de seus novos produtos, a Micron chama situações em que, devido ao aumento das cargas, é necessária uma quantidade crescente de memória, por exemplo, para trabalhar com AI ou tarefas in-memory – com oito módulos CZ120, você pode obter adicionalmente até 2 TB de RAM. Além disso, novos itens devem ser de interesse para hiperescaladores.

Fonte da imagem aqui e abaixo: Micron Technology

Mas não se trata apenas de volume – o CZ120 também ajudará onde for necessária largura de banda adicional. Na variante de oito módulos, isso significa 256 GB/s adicionais. Os módulos CXL perdem um pouco em latência em relação aos DIMMs tradicionais, mas a “penalidade” neste caso não é mais do que uma transição no sistema NUMA.

A empresa está atualmente trabalhando em estreita colaboração com a Intel para validar os módulos CZ120 na plataforma Xeon Sapphire Rapids, que suporta apenas CXL 1.1, não 2.0. Os novos produtos também mostraram excelentes resultados na plataforma AMD EPYC 9754 (Bergamo) em testes TPC-H, disse um representante da AMD.

Vale a pena notar que a Micron não foi a primeira a dominar os módulos CXL 2.0 DRAM – em maio, a Samsung introduziu seus módulos de 128 GB no fator de forma E3.S, apenas um ano após o anúncio dos primeiros módulos CXL DDR5 do mundo. A SK hynix e a ADATA também apresentaram suas soluções E3.S, enquanto a Astera Labs e a Montage Technology ofereceram expansores no formato de placas de expansão.