Sob a gestão do ex-CEO Patrick Gelsinger, a Intel tornou-se uma grande cliente dos avançados scanners litográficos EUV de alta abertura numérica (High-NA) da ASML. A Samsung planeja adquirir dois desses sistemas da ASML em breve, com o primeiro previsto para o final deste ano.
Fonte da imagem: ASML
A informação foi divulgada pelo jornal sul-coreano The Korea Economic Daily. Até o final deste ano, a Samsung deverá receber da ASML um scanner litográfico avançado Twinscan EXE:5200B, que poderá ser usado em experimentos com litografia de alta abertura numérica. Em produção em massa, esses scanners permitirão a criação de chips com padrões litográficos abaixo de 2 nm.
A TSMC, seguindo o exemplo da Intel, está testando esse equipamento em nível experimental, e a SK Hynix o instalou no mês passado para uso futuro na produção em massa de chips. A Samsung planeja usar esse scanner litográfico na fabricação sob contrato de chips de 2 nm. Em particular, esse equipamento poderá ser útil para a produção de seus próprios processadores móveis da série Exynos 2600 e processadores Tesla para sistemas de inteligência artificial de próxima geração. A Samsung também espera usar esse equipamento para iniciar a produção de memória DRAM com uma nova estrutura de transistor de canal vertical, chamada VCT, até 2027. Acredita-se que essa memória combine alto desempenho com baixo consumo de energia.
A Samsung planeja investir aproximadamente US$ 773 milhões em dois sistemas de litografia Twinscan EXE:5200B. O novo equipamento permitirá a criação de chips com recursos 1,7 vezes menores que os sistemas EUV existentes. Enquanto a TSMC planeja usar esse equipamento na produção em massa no processo de 1,4 nm, a Intel planeja implementá-lo na produção de chips concorrentes que utilizam a tecnologia 14A. Isso, é claro, supondo que a empresa decida adotá-la, pois precisará encontrar um parceiro decente para isso.número de clientes para recuperar os custos de implementação. A produção em massa de chips com a tecnologia Intel 14A só começará em 2028.
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