A Samsung anunciou um novo tipo de memória de vídeo – GDDR6W. Foi desenvolvido com a nova tecnologia de embalagem FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging), que dobrou o volume e a produtividade dos microcircuitos.
Fonte da imagem: Samsung
Em julho, a Samsung começou a distribuir chips de memória GDDR6 de 24 Gb/s por pino. O fabricante observa que o novo GDDR6W oferece o dobro de largura de banda em relação ao GDDR6 e o dobro de volume, mantendo os mesmos tamanhos de pacote – tudo graças ao fato de que foi possível encaixar o dobro de chips de memória em um chip, como visto na imagem abaixo de. Graças a isso, a capacidade de um único chip de memória aumenta de 16 para 32 Gbit (de 2 para 4 GB) e o número de E / S de 32 para 64.
A tecnologia FOWLP envolve a montagem de um chip de memória diretamente em um wafer de silício, em vez de em uma placa de circuito impresso. E o uso da tecnologia de camada redistributiva (RDL) permite esquemas de fiação muito mais finos. A ausência de uma placa de circuito impresso no design do chip de memória GDDR6W reduz a espessura do pacote do chip e melhora a eficiência da dissipação de calor, diz a Samsung. A altura da caixa do GDDR6W é de 0,7 mm. Isso é 36% menor que GDDR6 (1,1 mm). Ou seja, de fato, a Samsung conseguiu encaixar mais memória mesmo em um volume menor do que antes.
A memória GDDR6W apresentada é capaz de fornecer a largura de banda do nível de memória HBM. Por exemplo, a memória HBM2E fornece uma taxa de transferência de dados de 3,2 Gb / s por pino e um acelerador com ela é capaz de fornecer uma largura de banda de 1,6 TB / s. Por outro lado, o GDDR6W pode fornecer taxa de transferência de 1,4 TB/s com base em 512 pinos de E/S a 22 Gb/s por pino.
A Samsung anunciou que concluiu o processo de padronização JEDEC para produtos GDDR6W no segundo trimestre deste ano. A empresa também disse que expandirá o GDDR6W para dispositivos de formato pequeno, como laptops, bem como novos aceleradores de IA e HPC de ponta.