A empresa britânica QuInAs Technology, de acordo com o recurso Blocks& Files, está um passo mais perto da produção em série de sua memória universal UltraRAM, que combina características como alta velocidade de DRAM, não volatilidade NAND e baixo consumo de energia.
Pesquisadores da Universidade de Lancaster e da Universidade de Warwick participaram do desenvolvimento das tecnologias subjacentes à UltraRAM. Estima-se que a UltraRAM consuma 100 vezes menos energia que a DRAM e 1.000 vezes menos que a memória flash NAND. Os dados na nova memória podem ser armazenados por 1.000 anos. Além disso, a UltraRAM é altamente confiável: pode ser regravada pelo menos 10 milhões de vezes.
Fonte da imagem: QuInAs
O princípio de funcionamento da UltraRAM baseia-se no efeito de tunelamento quântico de elétrons através de uma barreira de energia para dentro de uma célula. Essa barreira é formada por camadas finas alternadas de antimoneto de gálio (GaSb) e antimoneto de alumínio (AlSb). Na memória NAND 3D convencional, a porta flutuante de óxido na célula se deteriora gradualmente, enquanto na UltraRAM a porta praticamente não está sujeita a influências externas, afirmam os criadores. Graças a isso, um grande número de ciclos de gravação/apagamento é garantido.
A parceira da QuInAs no projeto de produção em massa do UltraRAM é a IQE, com financiamento da Innovate UK. A IQE desenvolveu um processo de fabricação para produzir estruturas UltraRAM usando epitaxia (o crescimento de um material cristalino sobre outro).
A QuInAs e a IQE estão atualmente discutindo oportunidades de comercialização para o novo tipo de memória com fabricantes e parceiros estratégicos. Espera-se que a UltraRAM encontre aplicação em uma ampla gama de dispositivos, desde produtos autônomos de Internet das Coisas (IoT) e smartphones até laptops e equipamentos de data center.