Cientistas russos se aproximaram da criação de geradores elétricos incorporados diretamente a chips

Um grupo consolidado de cientistas do Nite “Misis” e desejo está se movendo para o desenvolvimento mais interessante – geradores elétricos, que são integrados no chip de substrato de silício. Isso fornecerá energia de backup para chips e, no futuro, pode até substituir as baterias.

Fonte da imagem: NUST MISIS

Patifica chips dos cientistas internos são oferecidos por células de combustível de hidrogênio. Mas, a caminho disso, havia um problema – membranas de silício nanoporoso ao longo do tempo são destruídas de soluções aquosas e fracamente alcalinas. Para o sucesso do projeto, foi necessário proteger a superfície do silício, mesmo nos poros fechados do contato com o meio líquido. Pesquisadores foram capazes de resolver este problema.

Os cientistas desenvolveram uma tecnologia para aplicar revestimentos de grafeno multicamadas por precipitação da fase gasosa. A tecnologia é reconhecida como única e protegida pela patente da Federação Russa No. 2731278, de 1 de setembro de 2020.

Fonte da imagem: NUST MISIS

«Oferecemos um método não analógico para criar revestimentos de grafeno multicamadas nas paredes internas de poros em toda a profundidade da estrutura de silicone. Não há outros métodos de produção de eletrodos para elementos microcrent eficazes hoje. As fontes de corrente desse tipo não só podem fornecer a fonte de alimentação de backup de longo prazo, mas com o tempo, os acumuladores provavelmente serão substituídos “, explicou o professor associado do Departamento de Materiais de Semicondutores e Dielétricos, Ekaterina Gostev explicou.

Fonte da imagem: NUST MISIS

Os resultados do estudo são publicados na revista Microporosos e MESOPOROUS MATERIAIS. O processamento de silicone em um novo método é de várias centenas de vezes, reduz a resistência elétrica superficial e aumenta significativamente a resistência a soluções fracamente alcalinas. Além disso, devido à aparência de um novo microrelão dentro dos portos do silício, a área da superfície útil do material aumenta mais de três vezes. Tudo isso juntos aumenta acentuadamente as características do elemento do microcomputador, incluindo a durabilidade de seu uso.