A TSMC desenvolverá ativamente a produção de semicondutores de potência a partir de nitreto de gálio

A eletrificação adicional de tudo no mundo será acompanhada por um aumento na eficiência dos conversores, caso contrário, as perdas anularão todos os benefícios da transição. O papel principal neste processo será desempenhado pelos chamados semicondutores de gap largo, que incluem carboneto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN). A TSMC já entrou na produção de soluções com base nesses materiais e tem como objetivo cinco áreas onde a demanda deve crescer significativamente.

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De acordo com fontes taiwanesas, a TSMC vê oportunidades de crescimento para semicondutores designados nos próximos dez anos, com foco em cinco setores: carregadores rápidos para veículos elétricos, data centers, inversores fotovoltaicos, inversores 48 V DC e carregadores de carros elétricos a bordo.

Um incentivo adicional para o fabricante taiwanês se aprofundar nessa área são os esforços crescentes das empresas chinesas para alcançar o Ocidente na produção de semicondutores de grande abertura. A TSMC não vai perder a iniciativa e vai cooperar de boa vontade com os veteranos da indústria. Em particular, no ano passado a TSMC firmou um acordo de parceria com a empresa europeia STMicroelectronics e irá produzir para ela soluções de energia discretas e integradas com base em nitreto de gálio.

Ao mesmo tempo, a TSMC está desenvolvendo suas próprias tecnologias de produção. Ela tem feito isso desde o início dos anos 2000 e já alcançou algum sucesso. Em 2014, a TSMC começou a fabricar componentes de GaN em sua planta de wafer de 150 mm e, em 2015, começou a fabricar componentes de GaN para aplicações de baixa e alta tensão. Em 2017, a empresa iniciou a produção em massa de componentes GaN-on-Si. A cooperação com a STMicroelectronics em 2020 fortaleceu ainda mais a posição da TSMC em um novo mercado para ela. Obviamente, novos sucessos estão por vir, e a crescente demanda por eletrônicos de potência eficientes os manterá no caminho certo.