A empresa americana Wolfspeed, subsidiária da CREE, anunciou planos para construir a maior planta de carboneto de silício do mundo para semicondutores de potência. Os produtos correspondentes são cada vez mais procurados em várias áreas, em particular, no segmento de veículos elétricos.
Fonte da imagem: Wolfspeed
Elementos de potência baseados em carbeto de silício (SiC) são superiores aos análogos feitos de silício em muitos aspectos. Assim, os produtos SiC proporcionam maior rigidez dielétrica e melhor eficiência energética. Além disso, a temperatura de operação e a resistência à radiação são mais altas.
A nova instalação multibilionária da Wolfspeed estará localizada no condado de Chatham, Carolina do Norte, EUA. A construção está prevista para ser concluída em 2030. Inicialmente, o carbeto de silício produzido aqui será utilizado pela própria Wolfspeed, mas futuramente também poderão ser organizados fornecimentos para clientes terceiros.
O CTO da Wolfspeed, John Palmour, disse que a nova instalação ficará a cerca de 40 minutos das outras plantas da empresa na Carolina do Norte. A primeira etapa está prevista para ser lançada em 2024: sua criação exigirá investimentos de aproximadamente US$ 2 bilhões, podendo os custos totais de construção chegar a US$ 5 bilhões.
Estima-se que os semicondutores de potência de carboneto de silício representam atualmente cerca de 5% do mercado total. Até 2027, esse número deverá ultrapassar 20%.