Um dos primeiros chips de 3 nm da Samsung é encontrado em um minerador ASIC

Embora a Samsung tenha iniciado a produção em massa de chips baseados no processo SF3E (3 nm, transistores GAA) há cerca de um ano, poucos fabricantes de eletrônicos confirmaram seu uso em seus produtos até o momento. Recentemente, os analistas da TechInsights descobriram que um dos primeiros clientes dos chips de 3 nm da Samsung foi a MicroBT, que produz mineradores ASIC. O chip, feito com a tecnologia SF3E, é usado em seu criptominerador Whatsminer M56S++.

Fonte da imagem: Braço

ASICs de mineração de criptomoeda são pequenos chips com um número relativamente pequeno de transistores e estruturas lógicas repetitivas semelhantes a células de memória SRAM de bit simples. Em geral, devido à facilidade de produção de tais chips, isso os torna uma plataforma muito adequada para testar processos tecnológicos avançados. Portanto, não é de surpreender que a tecnologia de processo SF3E tenha encontrado sua primeira aplicação prática no ambiente de criptomineração.

Infelizmente, não há muita informação sobre o minerador Whatsminer M56S++ ASIC no domínio público. Sabe-se apenas que o sistema MictoBT baseado neste chip fornece uma taxa de hash de 240-256 Thesh / se tem uma eficiência energética de 22 joules por terahash.

Fonte da imagem: Samsung

Atualmente, não se sabe se a tecnologia 3nm SF3E da Samsung é usada em outras soluções comerciais além do hardware de mineração. No entanto, a própria Samsung afirma que “usa essa tecnologia de processo em seus produtos”.

«Produzimos chips em massa com base na primeira geração da tecnologia de processo de 3nm com um rendimento de chip estável. Com base nessa experiência, já estamos desenvolvendo a segunda geração da tecnologia de processo, que proporcionará um rendimento ainda maior de chips adequados ”, uma das declarações recentes da empresa cita a Tom’s Hardware.

Comparado aos processos de segunda geração da classe 5nm da Samsung (SF5, 5LPP), o SF3E promete reduzir o consumo de energia do chip em até 45%, mantendo a mesma frequência operacional, ou até 23% de melhoria no desempenho, mantendo o mesmo número de transistores e poder. Além disso, os chips que usam SF3E ocupam 16% menos área.

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