SK Hynix lançará produção em massa de memória DDR5 nos próximos meses

A SK Hynix anunciou que iniciará a produção em massa de memória DDR5 nos próximos meses. Os primeiros produtos baseados nele estarão à venda simultaneamente com o lançamento dos novos processadores Intel Alder Lake, cujo lançamento está previsto para o final deste ano. O fabricante também acrescentou que começará a produção de chips flash 3D NAND de 176 camadas no segundo semestre deste ano.

Fonte da imagem: SK Hynix

Como muitos outros fabricantes de chips DRAM, a SK Hynix exibiu os primeiros chips e módulos DDR5 em 2019. Atualmente, a empresa está enviando amostras de chips a parceiros interessados ​​para verificar a compatibilidade com suas plataformas e futuras CPUs. O início da produção em massa de módulos DDR5 RAM é esperado no segundo semestre do ano. No primeiro semestre de 2022, os chips DDR5 serão usados ​​com os processadores para servidores Intel Sapphire Rapids.

«A empresa começará a enviar chips DRAM de 10nm (1anm) produzidos com litografia EUV no segundo semestre de 2021 ”, disse a SK Hynix em um comunicado.

O fabricante acrescentou que neste mês começou a produção em massa de memória LPDDR4-4266 usando uma tecnologia de processo de grau de 10 nm e litografia de radiação ultravioleta ultravioleta (EUV). A empresa disse que a mudança na geração do processo técnico e a saída de 1znm (também da classe 10nm) permitiram aumentar em 25% o volume de wafers de silício produzidos. Ao mesmo tempo, os novos chips LPDDR4 são até 20% mais eficientes em termos de energia em comparação com os chips da geração anterior.

A SK Hynix planeja mudar para o processo de 1anm para chips de memória DDR5 no início do próximo ano, substituindo a primeira geração de produtos DDR5, já que a litografia EUV fornece chips DDR5 complexos com vantagens em consumo de energia e desempenho e, mais importante, em termos do tamanho dos cristais.

Além dos chips de memória DDR5, o fabricante pretende entrar na produção em massa de chips de memória flash 4D NAND de 176 camadas (3D NAND com circuitos periféricos sob as células de memória) nos próximos meses. A empresa já começou a produzir e enviar amostras de teste de chips de 176 camadas de 512 Gbps para fabricantes de controladores SSD. Os primeiros produtos de consumo baseados nessa memória devem aparecer no próximo ano.