SK hynix apresenta as primeiras pilhas de memória HBM3 de 24 GB e 12 camadas do mundo

A SK hynix apresentou as primeiras pilhas de memória de alta velocidade HBM3 de 12 chips do setor. Eles têm uma capacidade de 24 GB. A fabricante informa que já começou a enviar amostras de novas pilhas para seus parceiros para testes.

Fonte da imagem: SK hynix

«A empresa desenvolveu novos chips de memória HBM3 de 24 GB com capacidade 50% maior do que o produto anterior, que começou a ser comercializado em massa em junho passado. Poderemos começar a enviar novos chips de memória no segundo semestre deste ano e estaremos prontos para atender à demanda por memória de alta velocidade em meio à crescente popularidade das tecnologias de chatbot dedicadas baseadas em IA”, disse o fabricante em comunicado à imprensa. .

A SK hynix emprega o Advanced Mass Reflow Molded Underfill, um método de soldagem para combinar vários chips de memória em um único substrato, e a tecnologia Through Silicon Via (TSV) para fabricar as pilhas de memória HBM3 de 24 GB de 12 camadas. Ele permite reduzir a espessura de uma única pilha de memória em 40% e, como resultado, obter um chip com a mesma altura das pilhas HBM3 de 16 GB.

SK hynix introduziu a primeira geração de memória HBM de alta velocidade em 2013. Esses chips de memória são mais comumente usados ​​em sistemas de computação de alto desempenho (HPC). O mais recente padrão de memória HBM3 é considerado a melhor solução para processamento rápido de grandes quantidades de dados e, portanto, é muito procurado por empresas líderes em tecnologia.

A avaliação de desempenho das novas pilhas de memória de alta velocidade HBM3 de 24 GB e 12 camadas continua. Ao mesmo tempo, a empresa observa que os clientes interessados ​​no novo produto já receberam suas amostras.