Samsung supera TSMC em rendimento de 3 nm

A concorrência entre a Samsung e a TSMC no mercado de fabricação de semicondutores de 3nm e 4nm está se intensificando, e a Samsung disse que alcançou um rendimento comparável ao da TSMC, de acordo com o jornal coreano Kukmin Ilbo. Além disso, a tecnologia 4nm foi a última fase da empresa no uso de transistores FinFET, que estreou com a transição para os padrões de 16nm.

Fonte da imagem: news.kmib.co.kr

De acordo com a própria declaração do fabricante, o rendimento da matriz de 4 nm da Samsung Foundry é de 75%, enquanto o da TSMC é de 80%. A tecnologia de processo de 4 nm é usada na última geração de CPUs e GPUs. Mas na tecnologia avançada de 3 nm, o fabricante coreano conseguiu sair na frente. Ao abrir novos caminhos com transistores GAAFET (Broad Gate), a Samsung reivindica um rendimento de 60%, enquanto a TSMC reivindica apenas 55%.

Enquanto isso, lembrou o TechPowerUp, a Intel Foundry Services lançou sua própria solução que pode competir com produtos de empreiteiros asiáticos: a tecnologia Intel 3 é fisicamente baseada em transistores FinFET de 7 nm, mas oferece desempenho comparável aos chips de 3 nm da Samsung e TSMC. E somente em 2024 o fabricante americano mudará para GAAFET “honesto” e 2 nm.