Samsung paralisa produção de memória flash — lançamento da QLC NAND de 9ª geração é adiado para 2026

À medida que a infraestrutura de IA continua a se expandir, a demanda por armazenamento de alta capacidade continua a crescer, o que, por sua vez, está impulsionando o interesse no desenvolvimento da memória NAND de próxima geração. No entanto, como relata o ZDNet, a Samsung, uma importante fornecedora de chips NAND, está com dificuldades para comercializar sua memória NAND de alta capacidade de nona geração (V9), adiando a implantação em larga escala da V9 QLC NAND até pelo menos o primeiro semestre de 2026.

Fonte da imagem: Samsung

A publicação relata que a memória NAND V9 da Samsung possui um design de 280 camadas e iniciou a produção em massa em abril do ano passado. O primeiro lote dessa memória utilizou uma estrutura TLC (célula de nível triplo) e atingiu a capacidade de 1 Tb. Logo depois, em setembro de 2024, de acordo com a ZDNet, a Samsung iniciou a produção em massa da memória NAND V9 QLC (célula de nível quádruplo) com capacidade ainda maior.

No entanto, fontes entrevistadas pela ZDNet afirmaram que os primeiros chips de memória V9 QLC da Samsung apresentavam falhas de design que causavam problemas de desempenho. Isso levou ao atraso em seu lançamento. Embora a Samsung ainda domine o mercado geral de memória NAND, a empresa está atrasada no segmento de memória QLC. Seus principais produtos QLC estão estagnados na geração V7, e a memória QLC de 8ª geração (V8) ainda não foi lançada.

A Samsung corre o risco de perder a liderança para os concorrentes se não conseguir lançar com sucesso sua memória NAND V9 QLC para atender à crescente demanda por armazenamento de alta capacidade, impulsionada pelo rápido desenvolvimento de serviços de IA. No final de agosto, a SK Hynix anunciou a conclusão do desenvolvimento de chips NAND QLC de 2 TB e 321 camadas e o início da produção em massa. A empresa afirma que a nova memória dobrou a velocidade da interface de transferência de dados dos produtos QLC anteriores, enquanto o desempenho de gravação aumentou em até 56% e o de leitura em 18%. Além disso, a eficiência energética de gravação aumentou em mais de 23%, tornando-a mais competitiva no segmento de data centers, onde a redução do consumo de energia é crucial.O ZDNet acrescenta que em fevereiro deste ano, a Samsung falou sobreMemória TLC NAND V10 de 1 terabit e 400 camadas, embora a empresa não tenha divulgado sua data de lançamento. No mesmo mês, a empresa japonesa Kioxia lançou a memória NAND 3D de 332 camadas. O relatório da publicação observa que o desenvolvimento dessa memória ainda não foi concluído, portanto, ela ainda não está pronta para produção em massa.