A Samsung anunciou que iniciou a produção em massa de memória flash 3D V-NAND TLC de 9ª geração com capacidade de 1 Tbit. Os novos chips oferecem maior densidade e eficiência energética em comparação com os chips de memória 3D V-NAND TLC de 8ª geração.
Fonte da imagem: Samsung
O fabricante não especificou o número de camadas utilizadas na memória 3D V-NAND TLC de 9ª geração com capacidade de 1 Tbit, bem como o processo técnico utilizado para sua produção. No entanto, a Samsung observou que com o menor tamanho de célula do setor, a densidade de bits dos chips 3D V-NAND TLC de 9ª geração foi melhorada em aproximadamente 50% em comparação com a memória 3D V-NAND TLC da geração anterior. O fabricante informou ainda que os novos chips de memória utilizam tecnologia de prevenção de interferências, as células têm maior vida útil e a eliminação de furos fictícios em canais condutores permitiu reduzir significativamente a área plana das células de memória.
A memória flash 3D V-NAND TLC de 9ª geração apresenta a interface Toggle 5.1 de última geração, que aumenta as velocidades de E/S em 33%, para 3,2 Gbps por pino. Junto a isso, a empresa reduziu o consumo de energia em 10% em relação à geração anterior.
No segundo semestre do ano, a Samsung planeja iniciar a produção do V-NAND 3D de nona geração com capacidade de 1 Tbit com células QLC.
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