Samsung lançou o desenvolvimento de DRAM 3D nos EUA

A Samsung abriu um novo laboratório de pesquisa nos Estados Unidos, relata o Korea Times, citando suas fontes. A empresa, localizada no Vale do Silício, desenvolve tecnologias de memória DRAM 3D como parte do programa Device Solutions America. Segundo a publicação, a tarefa do novo laboratório Samsung é tornar a empresa líder no mercado global de memória DRAM 3D.

Fonte da imagem: Samsung

3D DRAM é uma DRAM que deve ser produzida usando a tecnologia de transistor 3D em vez do layout planar atual. O objetivo do processo de fabricação 3D é explorar com mais eficiência as limitações físicas dos chips, empilhando verticalmente camadas adicionais de células de memória ou chips inteiros uns sobre os outros.

Um exemplo de tecnologia RAM 3D é a tecnologia 3D V-Cache, que é usada nos processadores de consumo AMD Ryzen X3D, bem como em alguns de seus chips de servidor. Nesse caso, 3D V-Cache é uma camada adicional de cache L3 colocada sobre a camada de cache L3 principal do processador.

O Korea Times lembra que a Samsung foi a primeira empresa a introduzir a tecnologia de memória flash NAND tridimensional, que a empresa chama de V-NAND, há mais de uma década. Ainda hoje é usado em unidades de estado sólido. Além disso, outros fabricantes também dominaram a produção de memória flash 3D NAND e a cada ano aumentam o número de camadas – em chips modernos, seu número ultrapassou 230.

A tecnologia de fabricação de cache 3D provou sua eficácia no segmento de processadores. A Samsung disse em outubro de 2023 que a estrutura tridimensional dos cristais de RAM, produzidos usando processos técnicos mais finos que 10 nm, tornaria possível no futuro criar chips de memória DRAM mais espaçosos com uma densidade superior a 100 Gbits por chip.