O DigiTimes, citando o Seoul Economic Daily, informa que a Samsung Electronics estará pronta para iniciar a produção em massa de sua memória flash 3D dual-stack de 9ª geração no próximo ano. Em comparação, os chips NAND 3D de 321 camadas da SK hynix, que devem entrar em produção em massa no primeiro semestre de 2025, usam uma arquitetura de pilha tripla.
Fonte da imagem: Samsung
Os chips Samsung 3D V-NAND de 9ª geração com mais de 300 camadas serão produzidos usando o método de empilhamento duplo que a Samsung foi pioneira em 2020 com seus chips 3D NAND de 176 camadas de 7ª geração. O método envolve a criação de uma única pilha 3D NAND em um wafer de silício com um diâmetro de 300 mm e, em seguida, a colocação de uma segunda pilha em cima da primeira. Com base em chips de memória flash de alta densidade com mais de 300 camadas, os fabricantes poderão criar drives de estado sólido de baixo custo ou reduzir o custo dos SSDs já existentes no mercado.
Quanto ao mesmo SK hynix, a empresa anunciou anteriormente planos para iniciar a produção de memória 3D NAND de 321 camadas em 2025 usando uma arquitetura de três pilhas. A produção desses chips difere do método da Samsung e envolve a conexão de três conjuntos separados de camadas. Por um lado, a produção dessa memória exigirá mais etapas e exigirá mais materiais do que um concorrente, mas essa abordagem visa aumentar o nível de rendimento de chips adequados, pois é mais fácil produzir pilhas de memória flash com menos camadas.
Os vazamentos do roteiro da Samsung sugerem que a empresa pode usar o método de pilha tripla para lançar chips 3D NAND de 10ª geração de 430 camadas após a conclusão do ciclo de produção 3D NAND de 9ª geração. Alguns especialistas em conversa com o Seoul Economic Daily sugeriram que a produção de chips de memória flash 3D NAND com mais de 400 camadas exigirá uma arquitetura de pilha tripla devido a possíveis problemas com o rendimento do chip. Claro, isso aumentará o volume de matérias-primas utilizadas e outros custos por placa.
Em 2022, a Samsung disse que espera produzir chips de memória flash de 1.000 camadas até 2030.
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