Samsung anunciou planos para lançar DRAM 3D, mas isso não acontecerá tão cedo

A Samsung adicionou DRAM 3D ao seu plano de lançamento de produtos. O fabricante compartilhou informações sobre isso na conferência de tecnologia Memcom. A empresa planeja introduzir o primeiro processo de fabricação de DRAM 3D nos próximos quatro anos.

Fonte da imagem: Samsung

O maior fabricante de memória do mundo planeja introduzir a produção de DRAM de transistor de canal vertical (VCT) à medida que faz a transição para a tecnologia de processo sub-10 nm para produção de memória, de acordo com um slide da empresa mostrado na conferência Memcom.

Um transistor de canal vertical (VCT) pode ser um tipo de FinFET no qual o canal condutor é envolto em uma fina “barbatana” de silício que forma o corpo do transistor. O VCT também pode ser um transistor de porta anular (GAA), no qual o material da porta envolve o canal condutor por todos os lados. No caso da Samsung, aparentemente estamos falando do processo de produção de DRAM baseado em FinFET.

A Samsung está a duas gerações de introduzir uma tecnologia de processo mais fina que 10 nm para produção de memória. A mais recente agora é a quinta geração da tecnologia da classe 10nm (na verdade 12nm), que foi lançada em meados de 2023. A Samsung está preparando mais duas tecnologias da classe 10nm, e a primeira geração de uma tecnologia de processo mais fina que 10nm é esperada do fabricante na segunda metade desta década.

Fonte da imagem: Tokyo Electron

O uso de transistores 3D para DRAM envolve a criação e utilização de um design de célula no formato 4F2, que é considerado um dos layouts de células de memória mais eficientes em termos de custos de produção. A fabricante de equipamentos para fabricação de chips Tokyo Electron espera que a produção de DRAM com formato de célula VCT e 4F2 comece em 2027-2028. A empresa acredita que para produzir DRAM baseada em VCT, os fabricantes de memória terão que usar novos materiais para capacitores e linhas de bits.

A imagem fornecida pela Samsung sobre os seus planos de produtos futuros também revela que a empresa planeia adaptar a tecnologia DRAM multinível no início de 2030, aumentando assim significativamente a densidade dos seus chips de memória nos próximos dez anos.