O “Pai da HBM” prometeu a introdução da memória HBM não volátil em produtos da Nvidia e do Google já em 2027.

Com o aumento da carga computacional associada às tarefas de inteligência artificial (IA), especialistas preveem a comercialização da tecnologia de memória não volátil High-Bandwidth Flash (HBF) mais cedo do que o esperado, de acordo com a TrendForce, empresa especializada em análises e consultoria nos setores de semicondutores, TI e telecomunicações.

Fonte da imagem: SanDisk

Joungho Kim, professor do Instituto Avançado de Ciência e Tecnologia da Coreia (KAIST), conhecido como o “pai da HBM”, afirmou que a Samsung Electronics e a SanDisk planejam implementar a HBF em produtos da Nvidia, AMD e Google até o final de 2027 ou início de 2028. Ele também observou que o desenvolvimento da HBF está se acelerando porque os fabricantes já estão aproveitando sua experiência acumulada em design e processos para desenvolver novas memórias.

Kim também prevê que a HBF será amplamente adotada com o lançamento do padrão HBM6 e que, até 2038, o mercado para essa memória poderá até mesmo superar o segmento HBM. Ele explica que a necessidade dessa nova tecnologia é impulsionada pelas limitações físicas da capacidade da DRAM e, como a HBM6 terá uma estrutura complexa de pilhas interconectadas, a memória flash HBF multichip (NAND) se tornará uma solução necessária para preencher a lacuna de capacidade de memória nos futuros sistemas de computação.

O professor também explica que, em tarefas de inferência de IA, o HBF eventualmente assumirá o papel de provedor de dados para placas gráficas, oferecendo aproximadamente 10 vezes a capacidade do HBM, embora a uma velocidade menor. Como o HBF possui um número ilimitado de ciclos de leitura, mas apenas cerca de 100.000 ciclos de gravação, isso exigirá que os desenvolvedores de software, incluindo OpenAI e Google, adaptem suas soluções para priorizar a leitura de dados. Além disso, Kim prevê uma mudança na arquitetura dos sistemas de computação até o lançamento do padrão HBM7: o conceito de “memory fabric” permitirá que os dados sejam processados ​​diretamente nos módulos de memória, eliminando os longos caminhos de transferência de dados existentes através de redes de armazenamento.Pipelines de processamento.

De acordo com fontes da indústria, a HBF será capaz de fornecer taxas de transferência superiores a 1.638 GB/s, superando significativamente os SSDs padrão, que oferecem aproximadamente 7.000 MB/s por meio da interface NVMe PCIe 4.0. Ela também atingirá capacidades de até 512 GB, ultrapassando os 64 GB oferecidos pela HBM4.

A Samsung e a SK hynix também estão avançando no desenvolvimento da HBF e já assinaram um acordo com a SanDisk para criar um consórcio para padronizar a memória HBF, com o objetivo de lançar produtos comerciais no mercado até 2027. A SK hynix planeja demonstrar uma versão de teste da tecnologia ainda este mês.