Micron iniciará a produção de chips de memória DDR5 de 32 GB no próximo ano

A Micron foi o primeiro fabricante de módulos de memória DDR5 de 24 GB e o primeiro fornecedor deles. A empresa quer manter a liderança do pioneirismo e se prepara para a produção em massa dos primeiros chips de memória DDR5 de 32 GB do mercado, além de módulos de RAM de alta capacidade. O início da produção desses produtos está previsto para o primeiro semestre do ano que vem.

Fonte da imagem: Micron

Os chips de memória DDR5 monolíticos de 32 GB serão fabricados usando o processo 1β (1-beta), o processo mais avançado do fabricante e o mais recente processo da Micron que não usa litografia ultravioleta extrema. A empresa ainda não está pronta para compartilhar informações sobre a largura de banda dos futuros chips de memória.

Uma das vantagens das modernas tecnologias de fabricação de chips DRAM é que elas podem ser usadas para criar microcircuitos monolíticos de capacidade muito grande. Os mesmos chips DDR5 de 32 GB serão muito úteis para a produção de módulos RAM de servidor de alta capacidade. Teoricamente, com base em módulos DDR5 de 32 GB, será possível criar módulos de memória de até 1 TB (baseados em 32 chips de 32 GB de 8 pilhas). É verdade que a própria Micron não tem pressa em anunciar esses produtos. Em vez disso, o fabricante planeja lançar módulos de RAM DDR5 de 192 e 256 GB.

A ausência de módulos de memória DDR5 de 512 GB e 1 TB no roteiro de produtos futuros da Micron pode significar que o fabricante ainda considera esses produtos muito específicos. No entanto, isso não exclui a possibilidade de que a empresa ainda esteja considerando a possibilidade de liberar esses módulos, mas eles estarão disponíveis apenas para clientes selecionados.

O roteiro da Micron também indica que a empresa planeja iniciar a produção em massa de chips de memória GDDR7 de 16 GB e 24 GB com taxas de transferência de dados de 32 GT/s (gigatransfers por segundo) a partir de meados de 2024. Além disso, ela está trabalhando na memória HBMNext. Essa nova geração de memória de alto desempenho deve fornecer largura de banda de 1,5 TB/s a mais de 2 TB/s por pilha em capacidades que variam de 36 GB a 64 GB. Anteriormente, o fabricante introduziu a memória HBM3 Gen2 com largura de banda de 1,2 TB / s, que é 44% mais rápida que o HBM3 convencional.