Durante o feriado do Ano Novo Chinês, os preços da memória DRAM de uso geral e da memória flash NAND praticamente triplicaram. Uma nova previsão dos analistas da Counterpoint Research indica que a escassez de memória continuará a piorar e persistirá pelo menos até o segundo semestre do próximo ano.
Fonte da imagem: SK hynix
De acordo com a Counterpoint Research, durante o período do Ano Novo Chinês, os preços dos módulos RDIMM DDR5 de 64 GB para servidores aumentaram 150% em comparação com o trimestre anterior, os módulos LPDDR5X de 12 GB para dispositivos móveis aumentaram 130% e os módulos SO-DIMM DDR4 universais de 8 GB, usados principalmente em laptops, aumentaram 180%, apesar de serem mais antigos. Os preços dos chips NAND aumentaram entre 130% e 150%, representando um crescimento sem precedentes.
Fonte da imagem: Counterpoint Research
Espera-se que essa escassez de memória persista pelo menos até o segundo semestre do próximo ano. Os investimentos de capital (CAPEX) da Samsung Electronics e da SK hynix, estimados entre 80 e 90 trilhões de won (US$ 50 a 60 bilhões), são insuficientes para atender à demanda atual.
“Este ano, a produção de DRAM em empresas como Samsung Electronics, SK hynix, Micron, CXMT e Nanya deverá aumentar 26%, enquanto a produção de NAND deverá aumentar 24%. No entanto, isso não terá um impacto significativo no mercado até o segundo semestre de 2027. A escassez de oferta não será resolvida até o final do segundo semestre de 2027”, afirmou Min-sung Hwang, pesquisador da Counterpoint Research.
Fonte da imagem: Counterpoint Research
Segundo ele, “não há cenário em que os preços da memória se corrijam no segundo semestre de 2026”. Este ano, o foco principal dos fornecedores de HBM (Memória de Alta Largura de Banda) de alto desempenho provavelmente será a competição por margem de lucro, em vez de participação de mercado. De acordo com a Counterpoint Research, a SK hynix foi responsável por aproximadamente 60% das remessas e da receita de HBM no ano passado, mas essa participação deve diminuir ligeiramente este ano.
“Em comparação com o ano passado, espera-se que a Samsung Electronics obtenha ganhos significativos no mercado de HBM4 este ano. Como a SK hynix está em uma situação bastante desafiadora, tendo que modificar seus produtos existentes (por exemplo, a transição da Nvidia para HBM4), o fator-chave provavelmente será a velocidade com que a empresa conseguirá realizar essa adaptação”, acrescentou o especialista.
Segundo a Counterpoint Research, os fornecedores de memória estão mudando a produção de módulos HBM especializados para memória de uso geral para maximizar a lucratividade. “Como os grandes provedores de serviços em nuvem (hiperescaladores) continuam comprando memória em volumes enormes, é improvável que os preços dos chips diminuam no segundo semestre deste ano”, afirma o relatório.
Analistas acreditam que os riscos geopolíticos associados à guerra no Oriente Médio provavelmente não terão um impacto significativo nos preços da memória. “Embora a guerra não tenha um impacto imediato nos preços da memória, se a crise energética persistir a longo prazo, os aumentos nos preços dos chips causados pelo aumento dos investimentos de capital e pelas tarifas de eletricidade, que representam mais da metade das despesas operacionais dos data centers, terão um impacto significativo.””O setor de processamento de dados pode pressionar a demanda”, explicou Hwang Min-sung.
Ele acredita que os fabricantes chineses de memória merecem mais atenção no médio prazo. “A CXMT, fabricante chinesa de DRAM, deve conquistar mais de 10% do mercado até 2028, enquanto a YMTC, fabricante chinesa de NAND, já detém 13% do mercado”, acrescentou o especialista.