O CEO da SanDisk, David Goeckeler, afirmou que o mercado global de chips de memória NAND enfrentará escassez até 2026. Essa previsão foi anunciada na recente Goldman Sachs Communacopia + Technology Conference.
Fonte da imagem: SanDisk
A escassez de oferta, de acordo com a TrendForce, deve-se ao crescimento explosivo da demanda dos data centers, que estão migrando do treinamento em inteligência artificial (IA) para a inferência — o processo de aplicar um modelo treinado a dados novos e nunca antes vistos para gerar conclusões e resultados, o que requer enormes quantidades de memória. Essa tendência já desencadeou uma onda de aumentos de preços por todos os principais players do mercado, incluindo SanDisk, Micron e Western Digital.
Geckeler enfatizou que a empresa vê os data centers como o principal impulsionador do crescimento e está buscando uma abordagem equilibrada para a expansão da capacidade a fim de gerenciar a oferta e a demanda. Ele observou que não espera que o mercado se estabilize até 2026, e que a escassez provavelmente persistirá durante esse período.
De acordo com a TechPowerUp, a SanDisk já aumentou os preços em 10% em todos os canais de distribuição e produtos de consumo (as mudanças se aplicam a pedidos feitos após 5 de setembro). A empresa atribuiu isso à crescente demanda de aplicativos de IA, data centers e dispositivos móveis. O Diretor Financeiro da SanDisk, Luis Visoso, afirmou que a empresa vê novas oportunidades de aumento de preços nos segmentos de clientes, data centers e nuvem, já que os preços e os termos de volume são negociados trimestralmente com cada cliente individualmente.
Ao mesmo tempo, a SanDisk está acelerando ativamente sua transição para novas tecnologias de fabricação. A participação da memória BICS 8 no portfólio da empresa deve aumentar dos níveis atuais para 40-50% até o final do ano fiscal. A empresa também acelerou seu roteiro.Mapa: Após a transição do BICS 5 para o BICS 6 para a memória QLC, a implantação completa do BICS 8 está planejada para os próximos anos.
No início deste ano, a SanDisk divulgou o desenvolvimento da tecnologia High Bandwidth Flash (HBF) e a assinatura de um memorando de entendimento com a sul-coreana SK Hynix para definir as especificações em conjunto. Como explica o Sisa Journal, enquanto o HBF aumenta a largura de banda empilhando chips DRAM, o HBF alcança um aumento drástico nas operações de E/S paralelas empilhando matrizes NAND 3D. Na mesma conferência do Goldman Sachs, a empresa anunciou que o HBF estará pronto para implantação até o final de 2026, com sistemas completos, incluindo controladores e ASICs, previstos para estarem disponíveis comercialmente no início de 2027. A primeira geração do HBF utilizará uma estrutura de memória de 16 camadas, fornecendo até 512 GB por pilha com largura de banda comparável ao HBM e 8 a 16 vezes a capacidade.
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