A Intel recebeu um grande pedido da Microsoft para a produção de chips de IA, aumentando a confiança de clientes externos na Intel Foundry, o braço de fabricação de chips sob contrato da empresa. De acordo com a SemiAccurate, citada pela TechPowerUp, a Intel Foundry fabricará chips de IA Maia2 para a Microsoft em suas próprias instalações, usando a tecnologia de processo 18A ou 18A-P.
Fonte da imagem: Microsoft
O processo Intel 18A-P é superior ao processo 18A por incorporar tecnologias de transistor RibbonFET de segunda geração e o sistema de energia PowerVia. Ambas as tecnologias visam melhorar o desempenho do chip e a eficiência energética. Essas tecnologias incluem novos componentes com tensões de limiar baixas, elementos otimizados para reduzir vazamentos e características aprimoradas de largura da nanofita, todos visando aumentar o desempenho por watt. Isso é especialmente importante para aceleradores de IA usados em data centers, onde alta eficiência é necessária devido ao grande número de dispositivos envolvidos.
Se o projeto Maia2 demonstrar alto desempenho e rápido tempo de retorno sobre o investimento, a Microsoft poderá considerar o uso dos nós Intel 18A-PT e 14A mais avançados. O processo Intel 18A-PT foi projetado para IA e aplicações de computação de alto desempenho que exigem arquiteturas multichip avançadas. O processo 18A-P alcança desempenho e eficiência aprimorados por meio de melhorias especializadas no encapsulamento. Os principais recursos da tecnologia incluem uma camada de metalização interna redesenhada, a capacidade de usar vias de silício para interconexões verticais e chip a chip, além de suporte para interfaces híbridas avançadas com tamanhos de passo competitivos. Essas melhorias permitem a integração de chiplets altamente escalável, permitindo que a Microsoft aproveite as tecnologias avançadas de encapsulamento da Intel no futuro.
ChipsOs chips Microsoft Maia100 de primeira geração foram fabricados com a tecnologia de processo N5 da TSMC, utilizando o interposer CoWoS-S. Os chips têm uma área de matriz de 820 mm² e um TDP de 500 W, com uma potência máxima de projeto de 700 W. São equipados com 64 GB de memória HBM2E com largura de banda de 1,8 TB/s e 500 MB de cache L1/L2. O desempenho máximo dos chips é de 3 PetaOPS com precisão de 6 bits, 1,5 PetaOPS com precisão de 9 bits e 0,8 PetaOPS para operações BF16. As opções de conectividade incluem 600 Gbps de taxa de transferência de rede interna por meio de doze portas de 400 GbE e 32 Gbps de taxa de transferência de host via PCIe 5.0 x8.