China lança produção totalmente independente de substrato de carboneto de silício

Componentes de carboneto de silício são procurados não apenas na indústria aeroespacial, mas também em aplicações mais corriqueiras, como a fabricação de veículos elétricos e diversos tipos de eletrônica de potência. A China há muito busca estabelecer a produção nacional de matérias-primas para esses componentes e, recentemente, a primeira linha de produção do tipo necessário, utilizando exclusivamente equipamentos de fabricação chinesa, entrou em operação no país.

Fonte da imagem: Wolfspeed

De acordo com a TrendForce, no final de setembro, a Zhejiang Jingsheng Mechanical & Electrical, por meio de sua subsidiária SuperSiC, lançou uma linha de produção dedicada para wafers de carboneto de silício de 300 mm na China. A linha piloto se caracteriza pela tecnologia 100% chinesa e pelo uso de equipamentos exclusivamente locais em todas as etapas da produção.

Outro diferencial importante em relação a produtos similares é o uso de wafers de 300 mm, que, na produção em massa, permitem custos unitários mais baixos. Atualmente, wafers de 200 mm são normalmente usados ​​para processamento de carboneto de silício, e a transição para 300 mm permite um aumento de duas vezes e meia no número de chips produzidos a partir de um único wafer. Isso reduz significativamente o custo de cada chip.

O custo de processamento de um único wafer com esse tamanho é reduzido em 40%, e o custo de um componente automotivo acabado cai de US$ 150 para US$ 90 por unidade. Isso permitirá que os participantes do mercado de veículos elétricos, sistemas de comunicação 5G e energia solar reduzam o custo de aquisição de eletrônicos de potência à base de carboneto de silício.

Outros fabricantes chineses também estão trabalhando para dominar a produção de wafers de carboneto de silício desse tamanho. A SICC espera atingir um rendimento de 65% em sua linha piloto com wafers de 300 mm de diâmetro até o final deste ano e iniciar a produção em massa. A Infineon e a TanKeBlue estão colaborando nessa área, também contando com esse tamanho.Substratos para a fabricação de transistores de potência à base de carboneto de silício, que entrarão em produção em massa no próximo ano.

Embora os fabricantes chineses de componentes de carboneto de silício tenham representado 24% do mercado global no ano passado, essa participação deve crescer para 60% este ano, com a localização de equipamentos atingindo 80%. No ano passado, a Wolfspeed permaneceu líder de mercado global com uma participação de 34%, mas as empresas chinesas SICC e TanKeBlue estão diminuindo a diferença, cada uma detendo 17% do mercado global.

No ano passado, o principal consumidor de componentes de carboneto de silício continuou sendo o mercado de veículos movidos a novas fontes de energia, que dependem fortemente de eletricidade. Esse segmento foi responsável por 73,1% do consumo desses componentes. Os data centers também estão cada vez mais demandando eletrônicos de potência mais robustos, considerando seu crescente consumo de energia. De acordo com alguns relatos, a Nvidia planeja substituir wafers de silício simples por equivalentes de carboneto de silício na produção de chips para seus aceleradores da geração Rubin. Dada a alta demanda por produtos Nvidia desse tipo, essa mudança pode aumentar a demanda pelas matérias-primas correspondentes.