A Intel admitiu recentemente que o processo 14A será o primeiro estágio da litografia EUV usando equipamento de alta abertura numérica (High-NA), e a empresa começou a receber componentes da ASML para a primeira amostra desse equipamento no ano passado. Agora se sabe que os especialistas da ASML conseguiram lançar o equipamento correspondente na Holanda.
Fonte da imagem: ASML
Ann Kelleher, responsável pelo desenvolvimento de tecnologia da Intel, confirmou durante uma conferência em San Jose esta semana que o equipamento de alta abertura numérica usado para os experimentos começou a trabalhar no laboratório ASML, e o wafer de silício de teste já foi irradiado com seu ajuda. Uma cópia do scanner litográfico ASML Twinscan EXE:5000 com capacidades semelhantes está sendo montada no laboratório da Intel em Oregon, mas a julgar pela publicação da Reuters, ainda não está pronto para operação completa.
Esse equipamento permite obter uma resolução óptica de até 8 nm por exposição, o que é visivelmente melhor que os scanners EUV convencionais, que fornecem resolução de 13,5 nm por exposição. Embora o equipamento na Holanda esteja em fase de calibração, ainda não está pronto para processar wafers de silício a fim de obter chips de teste completos. Supõe-se que após a instalação de um scanner semelhante no Oregon, a Intel poderá iniciar experimentos semelhantes, além disso, no âmbito do processo técnico Intel 18A, embora na produção em massa o equipamento correspondente comece a ser usado não antes de 2026 já no âmbito da tecnologia Intel 14A. Até o final de 2027, a empresa espera mudar para a tecnologia de processo Intel 10A, que também utilizará equipamentos EUV de alto NA.