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A empresa chinesa Innosilicon, conhecida por LSIs personalizados para mineração de criptomoedas, anunciou que concluiu o projeto digital do primeiro chip doméstico usando o processo N + 1 da SMIC. De acordo com o co-diretor da SMIC, Liang Mong Song, o processo N + 1 é “quase o mesmo” que o processo 7nm da TSMC. Assim, a Innosilicon confirmou a disponibilidade do fabricante chinês para iniciar a produção de chips avançados.

A afirmação de que a tecnologia de processo N + 1 da SMIC permite a produção de chips com características próximas às da produção TSMC de 7 nm é bastante arbitrária. Mudar do processo FinFET de 14nm da TSMC para 7nm acrescenta até 35% de desempenho para transistores em condições ideais. No caso de uma transição da tecnologia de processo FinFET SMIC de 14 nm para a tecnologia de processo N + 1, o aumento no desempenho do transistor idealmente chega a 20%.

O processo técnico SMIC N + 1 está mais próximo do processo TSMC de 7nm em termos de redução de consumo. De acordo com o lado chinês, a transição de 14 nm para N + 1 proporcionará uma diminuição do consumo sem reduzir o desempenho em até 57%. Parece atraente, mas os chineses novamente esclarecem que a produção com a tecnologia de processo N + 1 é mais cara do que a produção de chips em linhas TSMC de 7 nm.

Este é um problema conhecido e ainda não tem solução. Como você deve se lembrar, os EUA bloquearam a venda de scanners litográficos EUV para a holandesa ASML pela SMIC. A SMIC é forçada a usar scanners de 193 nm e mais etapas de produção, Máscaras e matérias-primas para produção de 7 nm do que a TSMC.

No entanto, o anúncio de hoje pela Innosilicon da conclusão de um projeto de tape-out digital para o processo N + 1 pode ser considerado um marco. Com essa tecnologia de processo, o desempenho dos produtos semicondutores chineses certamente melhorará. No entanto, a SMIC não começará a produção em massa de chips usando a tecnologia de processo N + 1 até o primeiro trimestre do ano novo. Os imperiais não têm pressa. Há uma eternidade pela frente.

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