A partir do outono de 2022, as autoridades americanas proibiram o fornecimento de equipamentos para a China que permitem às empresas locais produzir memória 3D NAND com mais de 128 camadas. A Samsung e a SK Hynix, que produzem uma parte significativa de sua memória na China, receberam isenções dessas regulamentações. Isso permitirá que a Samsung comece a produzir memória 3D NAND de 286 camadas em Xi’an já no próximo ano.
Fonte da imagem: Samsung Electronics
Naturalmente, os fabricantes sul-coreanos prometeram garantir às autoridades americanas que os equipamentos que receberem para suas fábricas na China não serão desviados. No final de março, conforme relatado pela TrendForce, citando o Sisa Journal, a Samsung iniciou a produção em massa de memória 3D NAND de 236 camadas em sua fábrica na China, em Xi’an. A unidade está atualmente descontinuando a produção da memória legada de 128 camadas para iniciar a produção em massa da memória de 286 camadas no próximo ano. Por um período, a produção ocorrerá simultaneamente com a de 236 camadas. Em Xi’an, a Samsung produz aproximadamente 40% da memória 3D NAND que fornece ao mercado global.
Em seu país de origem, a Coreia do Sul, a Samsung já está se preparando para iniciar a produção de uma nova geração de memória, que aumentará o número de camadas para mais de 400. A produção está prevista para começar no segundo semestre deste ano. A concorrente SK hynix espera iniciar a produção em massa de memória de 300 camadas usando tecnologia de ligação híbrida nos próximos dois anos. Atualmente, ela produz memória de 321 camadas usando um método convencional. A chinesa YMTC, apesar das sanções direcionadas dos EUA, já domina a produção de memória de 270 camadas. Além disso, a Huawei demonstrou recentemente um método para aumentar a capacidade de unidades de estado sólido sem aumentar o número de camadas de memória 3D NAND.