A parceira japonesa Kioxia e a americana SanDisk estão se preparando para apresentar uma densidade de memória recorde na Conferência Internacional de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC). A futura tecnologia 3D QLC NAND deverá oferecer uma densidade de 37,6 Gbit/mm², equivalente a 4,7 GB/mm².
Fonte da imagem: sandisk.com
Engenheiros da Kioxia e da SanDisk apresentarão um artigo intitulado “Memória Flash 3D de Dois Terabits com Quatro Bits por Célula, Arquitetura de Seis Planos, Densidade de 37,6 Gbit/mm² e Velocidade de Gravação Superior a 85 MB/s”. O artigo provavelmente se concentrará nos chips QLC BiCS10 em uma arquitetura de 332 camadas — isso é confirmado por uma comparação com a variante TLC do BiCS10, que, com 3 bits por célula, apresenta uma densidade calculada de 29,1 Gbit/mm², ou 33% menor. O novo QLC BiCS10, assim como o QLC BiCS8, oferece até 2 Tbit (256 GB) por chip, mas com uma densidade maior, a capacidade do chip pode chegar a 8 TB. A SK hynix obteve um resultado semelhante com seu QLC V9 de 321 camadas, mas a fabricante coreana ainda não divulgou dados confiáveis de densidade. Considerando uma densidade de 37,6 Gbit/mm² e uma capacidade de 2 Tbit, a área do chip pode ser calculada em aproximadamente 55 mm².
Um aumento de desempenho também é esperado, já que a versão TLC do BiCS10 contará com uma interface de 4,8 Gbit/s, em comparação com os 3,6 Gbit/s do BiCS8. Sua arquitetura de seis camadas proporcionará ao BiCS10 QLC uma velocidade de gravação superior a 85 MB/s — inferior à do TLC, mas superior à do V9 QLC da SK hynix, com 75 MB/s.
Na geração atual do BiCS8, os chips da Kioxia e da SanDisk, com uma contagem de camadas relativamente baixa, de 218, podem rivalizar com os concorrentes em densidade de dados e oferecer velocidade máxima. Ao atingir 332 camadas, a Kioxia e a SanDisk estarão competindo com o Samsung V10, que promete atingir todas as 400 camadas e até mesmo alcançar 5,6 Gbps para o V10 TLC.