A Samsung Electronics iniciará a produção em massa de chips de memória flash 3D V-NAND de 9ª geração e 290 camadas este mês, escreve a publicação sul-coreana Hankyung, citando fontes industriais. No próximo ano, o fabricante planeja lançar chips de memória flash NAND de 430 camadas.
Fonte da imagem: Samsung
Os chips 3D V-NAND de 9ª geração da Samsung com 290 camadas serão produzidos usando a tecnologia de empilhamento duplo que a Samsung usou pela primeira vez em 2020 para produzir chips 3D NAND de 7ª geração de 176 camadas. O método envolve a criação de uma matriz de chips 3D NAND em wafers de silício com um diâmetro de 300 mm, após os quais dois desses wafers são empilhados um sobre o outro e soldados, e então cortados em chips individuais, que são pilhas duplas.
Anteriormente, falava-se na indústria de semicondutores que a produção de chips de memória flash NAND com cerca de 300 camadas exigiria o empilhamento de três wafers devido às limitações tecnológicas do método de pilha dupla. No entanto, a Samsung aperfeiçoou o processo de empilhamento duplo e agora irá usá-lo para produzir memória NAND com 290-300 camadas.
No segundo semestre do próximo ano, a empresa passará a produzir a 10ª geração de memória flash 3D V-NAND com 430 camadas. É aqui que começará a ser usado o empilhamento de três placas umas sobre as outras, escreve a publicação sul-coreana, citando dados da empresa de pesquisa Tech Insights. Conforme observado, o fabricante vai pular a produção de chips de memória NAND com mais de 300 camadas e passar imediatamente para a produção de chips de 430 camadas.
Os concorrentes da Samsung também não ficam parados. A partir do início do próximo ano, a SK hynix vai iniciar a produção em massa de chips de memória flash NAND de 321 camadas, mas para isso irá “soldar” três placas com chips. O fabricante chinês de memória YMTC, que atualmente produz memória NAND de 232 camadas, planeja lançar a produção de chips de memória de 300 camadas no segundo semestre deste ano.