A Samsung Electronics revelou os maiores chips de memória DRAM DDR5 de 12 nm e 32 Gb do setor, que afirma serem ideais para a era da inteligência artificial. Antes disso, a empresa só podia produzir chips de 32 Gb com chips de 16 Gb montados em TSV. O lançamento de chips DDR5 “sólidos” de 32 Gb no mesmo pacote com chips de 16 Gb reduzirá o consumo e abrirá caminho para promissores módulos de memória de 1 TB.
Fonte da imagem: Samsung Electronics
A Samsung estima que os chips DDR5 com o dobro da capacidade proporcionarão um consumo 10% menor de módulos DDR5 de 128 GB. Curiosamente, a empresa anunciou o início da produção de DRAM DDR5 de 12 nm e 16 Gb recentemente – em maio deste ano. O anúncio atual não significa o lançamento imediato da produção em massa de chips de 32 Gb. A empresa promete iniciar a produção apenas no final deste ano. Aumentar a capacidade dos chips disponíveis comercialmente para 32 Gb permitirá que os fabricantes de memória mudem para a produção em massa de módulos DDR5 de 64 GB e modelos de servidores de até 1 TB.
«Ao criar DRAM de 12 nm de classe de 32 Gb, fornecemos uma solução que permitirá módulos DRAM de até 1 TB, o que nos torna idealmente posicionados para atender à crescente demanda por DRAM de alta capacidade na era da IA e big data”, disse Sang Joon Hwang. , vice-presidente executivo de produto e tecnologia DRAM, Samsung Electronics. “Continuaremos a desenvolver soluções DRAM baseadas em fluxos de trabalho diferenciados e tecnologias de design para ampliar os limites da tecnologia de memória.”
No momento, fabricantes de memória como SK hynix e Micron oferecem apenas chips DDR5 de 24 Gb, permitindo módulos convencionais de até 96 GB, mas a Samsung está aumentando a capacidade com uma solução de terceira densidade mais alta. No entanto, a Micron também confirmou o trabalho em chips DDR5 de 32 Gb em seu roteiro, embora eles ainda não tenham sido anunciados oficialmente.
Em sua história, a Samsung expandiu os limites da RAM em 500.000 vezes. A empresa lançou sua primeira memória (64 KB) em 1983. Nos últimos 40 anos, aumentou a capacidade dos microcircuitos um número incrível de vezes, o que naquela época poucas pessoas conseguiam imaginar.