A SK hynix anunciou hoje a conclusão da tecnologia de memória de 1 bilhão mais avançada do setor, a quinta geração da tecnologia de processo de 10 nm. Juntamente com a Intel, a empresa já começou a testar novos módulos DDR5 projetados para plataformas Intel Xeon Scalable. O novo processo de 1b nm será usado para memória DDR5 de servidor e consumidor e, posteriormente, para HBM3E e outros tipos de memória. Os chips DDR5 fabricados com tecnologia de 1b nm devem entrar em produção em massa no segundo semestre.
Fonte da imagem: SK hynix
A SK hynix espera que a validação da memória DDR5 com base no processo de 1 bnm não seja um problema. De acordo com o comunicado de imprensa, a RAM DDR5 nos novos chips fornecerá imediatamente 6,4 Gbps de velocidade de transferência de dados, o que é 33% melhor do que os produtos DDR5 da geração anterior. Mais importante, a memória DDR5 de 1 bilhão consumirá 20% menos energia do que os produtos anteriores. Isso se deve ao fato de o processo utilizar um material com alta constante dielétrica, o que reduz as correntes de fuga e melhora as características capacitivas das células, observa a empresa.
A SK hynix também confirmou que o processo de próxima geração também será usado para a memória HBM3E. Ele aumentará a velocidade de processamento para 8 Gbps por pino, o que é 25% melhor que o HBM3 e 8 vezes melhor que a memória HBM de primeira geração. Os chips para o HBM3E devem entrar em produção em massa em 2024.
A empresa enfatizou que o desenvolvimento da mais recente tecnologia de 1b nm permitirá que a empresa forneça a seus clientes produtos DRAM com alto desempenho e eficiência. Isso permitirá que ela continue na liderança entre os fabricantes de módulos de memória. Lembre-se que a Samsung anunciou recentemente a transição para uma nova tecnologia de produção de memória. A empresa anunciou o lançamento da produção em massa de chips de RAM DDR5 de 16 gigabits com base em uma tecnologia de processo de classe de 12 nm.